三星电子在2011年资本投资规模共30.1兆韩元(约249.2亿美元)，其中LSI系统芯片部门资本支出共4.6兆韩元(约38.1亿美元)，DRAM与NAND Flash内存芯片部门资本支出共5.7兆韩元(约47.2亿美元)，TFT-LCD面板部门资本支出共5.4兆韩元(约44.7亿美元)，AMOLED(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode)面板部门资本支出共5.4兆韩元(约44.7亿美元)。

然2012年三星电子资本投资计划虽然尚未公布，但三星电子李健熙董事长在南韩媒体表示，愈不景气就愈要积极投资的态度，估计2012年三星电子资本投资规模估计将会在36兆(约298亿美元)至40兆韩元(约331.1亿美元)之间。

进一步细部分析各部门投资展望。2012年LSI系统芯片部门资本支出将较2011年增长163%，约7.5兆韩元(约62.1亿美元)，将集中投资于晶圆代工产能扩充与AP芯片研发量产。

2012年DRAM与NAND Flash内存芯片部门资本支出将较2011年增长114%，约6.5兆韩元(约53.8亿美元)，主要用于DRAM 30nm制程转换与NAND Flash 20nm(nano meters)制程转换之设备采购，与开发20nm制程PRAM(Parameter Random Access Memory)量产设备。

另外，三星电子也计划投资4兆韩元(约33.1亿美元)在中国设置20nm制程 NAND Flash工厂，计划2013年正式投产，建厂事宜目前规划由原显示器面板业务部门主管张元基主导，不过在中国建厂需南韩总理室产业技术保护委员会审议通过，估计需要2~3个月的时间，才能确认此建厂计划能否实行。

2012年TFT-LCD面板部门资本支出若包含中国建厂设备支出，总体资出有望与2011年维持相同规模，约5.4兆韩元(约44.7亿美元)，韩国TFT-LCD面板产线将着重于制程优化、成本降低，中国TFT-LCD面板产线建厂事宜将由原显示器面板业务部门主管张元基主导。

2012年AMOLED面板部门资本支出将较2011年增长130%，约7兆韩元(约57.9亿美元)，主要用于5.5代线AMOLED面板设备采购，以及与设备供货商共同开发8代线AMOLED面板设备。